目的：把存放在H50開始的32個(gè)數(shù)據(jù)，通過變址實(shí)現(xiàn)，基址+偏移量定位數(shù)據(jù)位置
功能應(yīng)用：歐姆龍PLC配方操作（據(jù)說是歐姆龍高級應(yīng)用，網(wǎng)上還沒有這方面的文章，花了我一晚上才測試出來）

1，取H50的地址到IR0（基地址）中，指令MOVR;
2，每次取相鄰2個(gè)數(shù)據(jù)，通過W13控制偏移地址 2*W13，2*W13+1;
3，取計(jì)算偏移數(shù)據(jù)到DR0，DR1（偏移量）;
4，取計(jì)算地址的數(shù)值到D10，D12

有其他意見歡迎留言討論。

很久很久以前的Omron CP1H操作手冊上就有這部分內(nèi)容.

樓上的有點(diǎn)頂針哈，這是應(yīng)用例程，不是指令手冊，單個(gè)指令介紹手冊上肯定有，不需要拿到這上面來裝逼，

歐姆龍PLC配方的實(shí)現(xiàn)不是一個(gè)IR就實(shí)現(xiàn)了，例程只是介紹配方控制實(shí)現(xiàn)的思路，上傳上來主要是跟大家探討和學(xué)習(xí)大片區(qū)域范圍
內(nèi)取數(shù)

還有一種解碼方法（MLPX ）也可實(shí)現(xiàn)配方控制功能，產(chǎn)品越多，程序越長。

引用

引用第2樓e_newboy于2018-01-15 12:27發(fā)表的  :
樓上的有點(diǎn)頂針哈，這是應(yīng)用例程，不是指令手冊，單個(gè)指令介紹手冊上肯定有，不需要拿到這上面來裝逼，

歐姆龍PLC配方的實(shí)現(xiàn)不是一個(gè)IR就實(shí)現(xiàn)了，例程只是介紹配方控制實(shí)現(xiàn)的思路，上傳上來主要是跟大家探討和學(xué)習(xí)大片區(qū)域范圍
內(nèi)取數(shù)

.......

以我的水準(zhǔn)還有必要來您面前來裝逼么？

Sir，請您在覺得別人裝逼前仔細(xì)看看人家說的話…………當(dāng)然，看過手冊的人就會知道為何歐姆龍的變址網(wǎng)絡(luò)上很少討論了

你覺得沒用，可以略過，OK ，

看完內(nèi)容再評論，我說基址+偏移量，你就找一堆變址指令過來有意思嗎？

沒看明白講的是歐姆龍PLC配方控制實(shí)現(xiàn)思路呀？你牛你可以再總結(jié)幾種P歐姆龍PLC配方實(shí)現(xiàn)方法上來，供大家學(xué)習(xí)




1，取H50的地址到IR0（基地址）中，指令MOVR;
2，每次取相鄰2個(gè)數(shù)據(jù)，通過W13控制偏移地址 2*W13，2*W13+1;
3，取計(jì)算偏移數(shù)據(jù)到DR0，DR1（偏移量）;
4，取計(jì)算地址的數(shù)值到D10，D12

引用

引用第4樓e_newboy于2018-01-15 15:03發(fā)表的  :
你覺得沒用，可以略過，OK ，

看完內(nèi)容再評論，我說基址+偏移量，你就找一堆變址指令過來有意思嗎？

沒看明白講的是歐姆龍PLC配方控制實(shí)現(xiàn)思路呀？你牛你可以再總結(jié)幾種P歐姆龍PLC配方實(shí)現(xiàn)方法上來，供大家學(xué)習(xí)
.......

基址+偏移量不就是變址么………………

配方需要IR這種那么繁瑣的變址干什么呢？直接數(shù)據(jù)區(qū)變址*，@不就完了。

    

指手畫腳、吐槽的事誰都會，你可以上傳你最精簡的程序上來供大家學(xué)習(xí)和討論

首先配方數(shù)據(jù)存儲在掉電保持H區(qū)，H區(qū)能通過*，@取地址算你牛

引用

引用第7樓e_newboy于2018-01-15 15:37發(fā)表的  :
指手畫腳、吐槽的事誰都會，你可以上傳你最精簡的程序上來供大家學(xué)習(xí)和討論

首先配方數(shù)據(jù)存儲在掉電保持H區(qū)，H區(qū)能通過*，@取地址算你牛

并不是只有H區(qū)能掉電保持，D區(qū)也能掉電保存........

試一試就知道了

試過了，短時(shí)間可以，斷電時(shí)間長了數(shù)據(jù)全清零了，這也是為啥要把數(shù)據(jù)保存在專門的掉電保持區(qū)的原因。

引用

引用第9樓lch8478于2018-01-17 16:42發(fā)表的  :
試一試就知道了

試過了，短時(shí)間可以，斷電時(shí)間長了數(shù)據(jù)全清零了，這也是為啥要把數(shù)據(jù)保存在專門的掉電保持區(qū)的原因。