半導體生產(chǎn)過程中的某些工藝涉及氣體與半導體基片的反應(yīng)，比如沉積工藝和刻蝕工藝，氣體的流量將對工藝結(jié)果產(chǎn)生重要影響。為了使生產(chǎn)的半導體獲得較高的良品率，必須對流入反應(yīng)腔室的氣體流量進行精確控制，尤其是隨著半導體工藝集成度的不斷提高，對氣體流量的誤差要求也進一步提高。




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