晶體振蕩器是一種高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。
       晶體振蕩器的應(yīng)用
  1．通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產(chǎn)生振蕩頻率。
  2．時(shí)鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)脈沖信號(hào)，廣泛用于數(shù)字電路中。
  3．微處理器用石英晶體諧振器。
  4．CTVVTR用石英晶體諧振器。
  5．鐘表用石英晶體振蕩器。
  晶體振蕩器的技術(shù)指標(biāo)
  1.總頻差：在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩
  器頻率與給定標(biāo)稱頻率的最大頻差。
  說(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率溫度準(zhǔn)確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩(wěn)
  定度和頻率負(fù)載穩(wěn)定度共同造成的最大頻差。一般只在對(duì)短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對(duì)其他頻
  率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達(dá)。
  2. 頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度
  或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏。
  fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
  fTref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜,｜(fmin-fref)/fref｜] fT：頻率溫度穩(wěn)定度
  (不帶隱含基準(zhǔn)溫度)
  fTref：頻率溫度穩(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫度)
  fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最高頻率
  fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的最低頻率
  fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率
  說(shuō)明：采用fTref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標(biāo)的晶體振蕩器,故
  fTref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。
  3. 頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間：以晶體振蕩器穩(wěn)定輸出頻率為基準(zhǔn)，從加電到輸出頻率小于規(guī)定
  頻率允差所需要的時(shí)間。
  說(shuō)明：在多數(shù)應(yīng)用中，晶體振蕩器是長(zhǎng)期加電的，然而在某些應(yīng)用中晶體振蕩器需要
  頻繁的開(kāi)機(jī)和關(guān)機(jī)，這時(shí)頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間指標(biāo)需要被考慮到（尤其是對(duì)于在苛刻環(huán)境中使
  用的軍用通訊電臺(tái)，當(dāng)要求頻率溫度穩(wěn)定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作為本
  振，頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘)。
  4. 頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)
  系。這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規(guī)定時(shí)限后
  的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時(shí)后），或規(guī)定的時(shí)限內(nèi)最大的總頻率變化（如：
  ±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lái)表示。
  說(shuō)明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十
  年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標(biāo)，因?yàn)榧词乖趯?shí)驗(yàn)室的條件下，溫
  度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標(biāo)失
  去了實(shí)際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時(shí)后），±
  30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
  5.頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的
  最小峰值改變量。
  說(shuō)明：基準(zhǔn)電壓為＋2.5V，規(guī)定終點(diǎn)電壓為＋0.5V和＋4.5V，壓控晶體振蕩器在＋
  0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為＋
  130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm(2.5V±2V)。
  6.壓控頻率響應(yīng)范圍：當(dāng)調(diào)制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī)
  定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準(zhǔn)頻率低若干dB表示。
  說(shuō)明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0～10kHz。
  7.頻率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量
  度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度。
  說(shuō)明：典型的VCXO頻率壓控線性為：≤±10%，≤±20%。簡(jiǎn)單的VCXO頻率壓控線性計(jì)
  算方法為(當(dāng)頻率壓控極性為正極性時(shí))：
  頻率壓控線性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%
  fmax：VCXO在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率
  fmin：VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率
  f0：壓控中心電壓頻率
  8.單邊帶相位噪聲￡(f)：偏離載波f處，一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之
  比。

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